80 % Wolfram-Sputtertargets
Zielform: Platte, Scheibe, Rechteck, Quadrat, Ring, Rundstab, Stufenscheibe, Stufenrechteck, Dreieck, Rohrziel, verschachteltes Ziel usw. oder nach Kundenwunsch individuell angepasst und kann nach den vom Kunden bereitgestellten Zeichnungen verarbeitet werden. Für einige Zielmaterialien können wir unseren Kunden auch Bindedienste anbieten.
Referenzgröße: Durchmesser kleiner oder gleich 355,6 mm (14 Zoll), Länge kleiner oder gleich 1000 mm, Breite kleiner oder gleich 200 mm, Dicke kleiner oder gleich 20 mm
80 % W Sputtertargets
Welche Verfahren gibt es zum Sputtern von Targets?
Das Sputtertarget-Verfahren wird hauptsächlich in zwei Bereichen eingesetzt: Sputterätzen und Dünnschichtabscheidung.
Beim Abscheiden dünner Filme wird die Sputterquelle auf das Target gesetzt und mit Argonionen bombardiert, um ein Sputtern zu erzeugen. Wenn das Targetmaterial eine einzelne Substanz ist, wird ein dünner Film des Targetmaterials auf dem Substrat gebildet; wenn das reaktive Gas absichtlich in die Sputterkammer eingeführt wird, reagiert es chemisch mit den gesputterten Targetatomen und wird auf dem Substrat abgelagert. Ein Verbundfilm des Targetmaterials kann gebildet werden. Im Allgemeinen werden Verbund- oder Legierungsfilme durch direktes Sputtern mit einem Verbund- oder Legierungstarget erzeugt.
80 % Wolfram-Titan-Sputtertarget
Beim Sputterätzen wird das zu ätzende Material an der Zielposition platziert und zum Ätzen mit Argonionen bombardiert. Die Ätzrate hängt von Faktoren wie der Sputterausbeute des Zielmaterials, der Ionenstromdichte und dem Vakuumgrad der Sputterkammer ab. Beim Sputterätzen sollten gesputterte Zielatome so weit wie möglich aus der Sputterkammer entfernt werden. Eine gängige Methode besteht darin, ein reaktives Gas einzuführen, mit den gesputterten Zielatomen zu reagieren, um flüchtiges Gas zu erzeugen, und es dann durch ein Vakuumsystem aus der Sputterkammer abzulassen.
